Marché de fourniture relatif à l'acquisition d'un bâti de croissance épitaxiale par jet moléculaires de semi-conducteurs

CNRS Délégation Paris B

Le présent marché porte sur les prestations de fourniture, la livraison, l'installation, la mise en service et la formation d'un bâti de croissance épitaxiale par jets moléculaires de semi-conducteurs.

Date limite

Le délai de réception des offres était de 2017-10-06. L'appel d'offres a été publié le 2017-09-06.

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Historique des marchés publics
Date Document
2017-09-06 Avis de marché
2018-02-05 Avis d'attribution de marché
Avis de marché (2017-09-06)
Objet
Champ d'application du marché
Titre: Machines et appareils microélectroniques
Numéro de référence: AOO-2017-Bâti MBE-INSP
Brève description:
Le présent marché porte sur les prestations de fourniture, la livraison, l'installation, la mise en service et la formation d'un bâti de croissance épitaxiale par jets moléculaires de semi-conducteurs.
Métadonnées de l'avis
Langue originale: français 🗣️
Type de document: Avis de marché
Nature du marché: Fournitures
Réglementation: Union européenne, avec participation des pays de l'AMP
Vocabulaire commun pour les marchés publics (CPV)
Code: Machines et appareils microélectroniques 📦
Lieu d'exécution
Région NUTS: France 🏙️

Procédure
Type de procédure: Procédure ouverte
Type de soumission: Soumission pour tous les lots
Critères d'attribution
Offre la plus économique

Pouvoir adjudicateur
Identité
Pays: France 🇫🇷
Type de pouvoir adjudicateur: Organisme de droit public
Nom du pouvoir adjudicateur: CNRS Délégation Paris B
Adresse postale: 16 rue Pierre et Marie Curie
Code postal: 75005
Commune postale: Paris
Contact
Adresse Internet: http://www.cnrs.fr 🌏
Courrier électronique: marchesdr2@dr2.cnrs.fr 📧
Téléphone: +33 142349400 📞
Fax: +33 143268723 📠
URL des documents: https://www.marches-publics.gouv.fr/?page=entreprise.EntrepriseAdvancedSearch&AllCons&refConsultation=347045&orgAcronyme=f2h 🌏
URL pour la participation: https://www.marches-publics.gouv.fr/ 🌏

Référence
Dates
Date d'envoi: 2017-09-06 📅
Date limite de soumission: 2017-10-06 📅
Date de publication: 2017-09-09 📅
Identifiants
Numéro d'avis: 2017/S 173-353946
Numéro JO-S: 173

Objet
Champ d'application du marché
Brève description:
La configuration du système consiste en une chambre de croissance MBE capable d'évaporer 10 ou plus matériaux sources sur des substrats de 2 «de diamètre ou plus avec un haut degré d'uniformité. Au moins 3 de ces matériaux de base seront des métaux de transition s'évaporant à haute température et au moins 7 seront des métaux et semi-conducteurs s'évaporant à températures accessible par des cellules de Knudsen (K-cells) conventionnels. L'intégralité du système doit être compatible avec la croissance des composés séléniures et des tellurures.
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Le système doit être équipé d'un sas de chargement à introduction rapide et d'une chambre de transfert/préparation.
En outre, le système souhaité devrait avoir la possibilité d'être connecté sous ultravide à un microscope tunnel à balayage de type Omicron VT-STM, de faire croître des échantillons sur des petits supports d'échantillons de type pelle Omicron et de les transférer in situ de la chambre de croissance au STM.
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Enfin, il devrait y avoir la possibilité d'étendre le système à l'avenir pour le connecter à d'autres chambres de préparation, de croissance ou de caractérisation.
L'empreinte de l'ensemble du système, y compris les racks électroniques et l'espace d'accès à la maintenance autour du système ultravide, doit être inférieure à 4 m x 5 m (largeur x profondeur) et de hauteur (point le plus haut du système: bâti et rack électronique) soit aussi inférieure à 1.9 m du niveau du sol.
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1.5 Spécifications techniques et caractéristiques fonctionnelles de l'équipement
1.5.1 Enceinte ultra-vide MBE
La chambre de croissance ultravide avec cryo-panneau devrait permettre l'évaporation de 10 matériaux au minimum, dont au moins 7 seront évaporé en utilisant les K-cells ou crackers conventionnels (température d'opération maxi. 1400 °C), et au moins 3 seront évaporés en utilisant les sources canon à électrons.
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L'ensemble du bâti de croissance doit résister à l'effet corrosif du sélénium et du tellure.
La géométrie proposée des brides-cellules avec des cellules proposés (1.5.3) devrait avoir comme résultat une variation en épaisseur de moins de 2 % sur un substrat de diamètre deux pouces.
La configuration des sources sera:
Soit Configuration 1:
Au moins 10 piquages pour les sources de matériaux, dont:
— au moins 8 brides-cellules de taille ≥ DN 63CF avec le même angle d'incidence par rapport du substrat,
— au moins 2 brides-cellules de taille ≥ DN 40CF.
Soit Configuration 2:
Au moins 9 piquages pour les sources de matériaux, dont:
— au moins 6 brides-cellules de taille ≥ DN 63CF avec le même angle d'incidence par rapport du substrat,
— au moins 2 brides-cellules de taille ≥ DN 40CF,
— au moins 1 bride ≥ DN 160CF pour le montage d'une source canon à électrons multi-pocket horizontale.
La chambre doit avoir les caractéristiques techniques suivantes:
— vide de base < 5E-11 mbar après étuvage (sans cryo-panneau refroidi),
— cryo-panneau avec connexions de type “Vaccuum Barrier Systems” (VBS),
— pompe ionique (400 L/s minimum) avec vanne tiroir manuelle,
— pompe par sublimation de titane avec cryo-panneau,
— piquage (DN160 CF) blanké où une deuxième pompe peut être ajoutée à l'avenir,
— vanne tiroir manuelle entre chambre de croissance et de transfert,
— vanne d'équerre UHV pour pompage et remise à l'air,
— les piquages pour les caches pour chaque bride-cellule.
— les piquages pour les mesures in-situ suivants:
1) pyrométrie, avec hublot et cache-hublot manuel;
2) ellipsométrie — “blankés”;
3) “optical flux monitoring” — “blankés”;
4) 2 pour flux monitors (voir 1.5.4);
5) RGA (voir 1.5.5);
6) RHEED, avec écran RHEED et cache-hublot manuel. (voir 1.5.6);
7) ≥ 1 pour jauges à vide
— hublots de visée (avec cache-hublots avec actionnement manuel) permettant l'observation de toutes les cellules pendant de la croissance, et permettant d'apercevoir le transfert des échantillons et l'échantillon en position de croissance. À spécifier sur le plan du bâti.
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— une jauge Baya.
Durée de l'accord: 24 mois
Lieu d'exécution
Site principal ou lieu d'exécution:
CNRS UMR 7588, Institut des NanoSciences de Paris — université Pierre et Marie Curie — 4 place Jussieu — 75005 Paris.

Procédure
Heure limite de réception des offres: 12:00
Langues dans lesquelles les offres ou les demandes de participation peuvent être présentées: anglais 🗣️
français 🗣️
Période de validité de l'offre: 2017-12-06 📅
Date d'ouverture des offres: 2017-10-10 📅
Heure d'ouverture des offres: 10:30
Lieu: CNRS délégation Paris B — rue Pierre et Marie curie — 75005 Paris — bureau des achats et marchés.

Pouvoir adjudicateur
Contact
Point de contact: Secteur politique d'achats
Adresse du profil d'acheteur: https://www.marches-publics.gouv.fr/ 🌏
URL des documents: https://www.marches-publics.gouv.fr/?page=entreprise.EntrepriseAdvancedSearch&AllCons&refConsultation=347045&orgAcronyme=f2h 🌏

Informations complémentaires
Organe de révision
Nom: Tribunal administratif de Paris
Adresse postale: 7 rue de Jouy
Commune postale: Paris Cedex 04
Code postal: 75181
Pays: France 🇫🇷
Téléphone: +33 144594400 📞
Courrier électronique: greffe.ta-paris@juradm.fr 📧
Fax: +33 144594646 📠
Adresse Internet: http://paris.tribunal-administratif.fr/ 🌏
Service auprès duquel des informations sur la procédure de recours peuvent être obtenues
Identique à : Organe de révision
Source: OJS 2017/S 173-353946 (2017-09-06)
Avis d'attribution de marché (2018-02-05)
Objet
Champ d'application du marché
Numéro de référence: 353946-2017
Brève description:
La configuration du système consiste en une chambre de croissance MBE capable d'évaporer 10 ou plus matériaux sources sur des substrats de 2 « de diamètre ou plus avec un haut degré d'uniformité. Au moins 3 de ces matériaux de base seront des métaux de transition s'évaporant à haute température et au moins 7 seront des métaux et semi-conducteurs s'évaporant à températures accessible par des cellules de Knudsen (K-cells) conventionnels. L'intégralité du système doit être compatible avec la croissance des composés séléniures et des tellurures. Le système doit être équipé d'un sas de chargement à introduction rapide et d'une chambre de transfert/préparation. En outre, le système souhaité devrait avoir la possibilité d'être connecté sous ultravide à un microscope tunnel à balayage de type Omicron VT-STM, de faire croître des échantillons sur des petits supports d'échantillons de type pelle Omicron et de les transférer in situ de la chambre de croissance au STM.
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Métadonnées de l'avis
Type de document: Avis d'attribution de marché
Lieu d'exécution
Région NUTS: Paris 🏙️

Procédure
Type de soumission: Sans objet

Pouvoir adjudicateur
Identité
Nom du pouvoir adjudicateur: CNRS Delegation paris B
Adresse postale: 16,rue Pierre et Marie Curie

Référence
Dates
Date d'envoi: 2018-02-05 📅
Date de publication: 2018-02-07 📅
Identifiants
Numéro d'avis: 2018/S 026-056413
Se réfère à l'avis: 2017/S 173-353946
Numéro JO-S: 26
Informations complémentaires
Déclaration sans suite pour motif d'intérêt général.

Objet
Champ d'application du marché
Brève description:
La configuration du système consiste en une chambre de croissance MBE capable d'évaporer 10 ou plus matériaux sources sur des substrats de 2 « de diamètre ou plus avec un haut degré d'uniformité. Au moins 3 de ces matériaux de base seront des métaux de transition s'évaporant à haute température et au moins 7 seront des métaux et semi-conducteurs s'évaporant à températures accessible par des cellules de Knudsen (K-cells) conventionnels. L'intégralité du système doit être compatible avec la croissance des composés séléniures et des tellurures.
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La chambre de croissance ultravide avec cryo-panneau devrait permettre l'évaporation de 10 matériaux au minimum, dont au moins 7 seront évaporé en utilisant les K-cells ou crackers conventionnels (température d'opération maxi. 1400ºC), et au moins 3 seront évaporés en utilisant les sources canon à électrons.
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— cryo-panneau avec connexions de type « Vaccuum Barrier Systems » (VBS),
— les piquages pour les caches pour chaque bride-cellule,
2) ellipsométrie — « blankés »;
3) « optical flux monitoring » — « blankés »;
— hublots de visée (avec cache-hublots avec actionnement manuel) permettant l'observation de toutes les cellules pendant de la croissance, et permettant d'apercevoir le transfert des échantillons et l'échantillon en position de croissance. À spécifier sur le plan du bâti,
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Lieu d'exécution
Site principal ou lieu d'exécution:
CNRS UMR 7588, Institut des Nano Sciences de Paris — université Pierre et Marie Curie — 4 place Jussieu — 75005 Paris.

Procédure
Critères d'attribution
Critère de qualité (nom): Valeur technique
Critère de qualité (pondération): 40 %
Critère de qualité (nom): Qualité du service après-vente
Critère de qualité (pondération): 10 %
Critère de qualité (nom): Développement durable
Critère de qualité (pondération): 5 %
Critère de qualité (nom): Délai de livraison
Critère de coût: Coût
Pondération du coût: 40 %

Pouvoir adjudicateur
Contact
Point de contact: Secteur Politique d’Achats

Informations complémentaires
Organe de révision
Nom: Tribunal Administratif de Paris
Commune postale: Paris cedex 04
Source: OJS 2018/S 026-056413 (2018-02-05)
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Région:
France Ile-de-France Ile-de-France Paris
Produits/services:
Machines, appareils, équipements et... Fournitures électroniques,... Équipement électronique Machines et appareils microélectroniques... Machines et appareils microélectroniques