Équipement de stripping humide
Le CEA/LETI souhaite faire l’ acquisition d’ un équipement Batch ayant pour but de retirer la résine et de nettoyer la surface de tranches de silicium de 200 millimètres de diamètre (150 mm en option) de la contamination organique.
Ainsi, il devra inclure les procédés suivants :
— SPM à base de mélange de peroxyde d’hydrogène /acide sulfurique/ eau dé ionisé,
— Standard Clean 1 (NH4OH/H2O2/eau DI) pour retirer la résine après gravure, implantation ionique, stripping plasma et lors du recyclage de la résine ainsi que la contamination organique.
Les procédés utilisant une co-injection d’ ozone, d’ hydroxyde d’ ammonium et d’ eau dé-ionisée pour le nettoyage à très faible consommation seront proposés en option.
Ces procédés devront être compatibles avec les matériaux du Front End of Line tels que le silicium, l’ oxyde et le nitrure de silicium.
L’ équipement doit permettre le traitement simultané de 25 wafers.
La préparation chimique et les procédés doivent être entièrement automatisés.
Un système de distribution automatique doit alimenter la chambre avec les chimies nécessaires.
Cet équipement sera implanté dans la salle blanche 200 mm du CEA/LETI où il sera opérationnel 24h/24 et 7j/7.
Date de livraison souhaitée : 4e trimestre 2015 – 1er trimestre 2016
Date limite
Le délai de réception des offres était de 2015-09-28.
L'appel d'offres a été publié le 2015-08-12.
Qui ?
Qu'est-ce que c'est ?
Historique des marchés publics
Date |
Document |
2015-08-12
|
Avis de marché
|
2016-03-08
|
Informations complémentaires
|