Fourniture, installation et mise en fonctionnement d'un équipement d'épitaxie par jets moléculaires dédié à la croissance sous ultra-vide de nitrures semi-conducteurs (III-N) et supra conducteurs (NBN)
Le bâti d’épitaxie par jets moléculaires sera dédié à des activités de recherche sur la croissance de nitrures semi-conducteurs d’éléments III et de nitrures supraconducteurs de type NBN. Il doit être constitué d’une chambre à vide pour la croissance cristalline et d’au moins une chambre à vide supplémentaire pour l’introduction des échantillons depuis l’atmosphère. Les chambres doivent être isolées entre elles de façon étanche et chacune doit être munie de son propre système de pompage. Les échantillons doivent pouvoir être transférés de l’une à l’autre. Le pompage de la chambre de croissance doit être assuré par une pompe cryogénique à hélium liquide et des panneaux cryogéniques à azote liquide.
La chambre de croissance doit pouvoir recevoir au moins 6 sources de matériaux différentes. Elle doit être notamment équipée de cellules d’évaporation pour le gallium, l’aluminium, l’indium, le silicium et le magnésium. Un autre emplacement de cellule doit être prévu pour recevoir une source à plasma d’azote. L’une des cellules d’évaporation sus mentionnée doit pouvoir être remplacée par une cellule pour l’évaporation du niobium ou bien un septième emplacement sera prévu pour son installation. Chaque cellule de matériaux sera équipée d’un cache individuel à actionnement rapide (< 0,2 s).
La chambre de croissance disposera des ports, hublots et caches nécessaires à la visualisation des transferts d’échantillons, à la diffraction RHEED pendant croissance des échantillons et à la lecture optique de la température du substrat.
La chambre de croissance doit être équipée d’un four pouvant chauffer uniformément jusqu’à 800 °C des échantillons dont la taille représentera un quart d’une plaque de 2 pouces de diamètre ou moins.
Compte tenu de la forte consommation de gallium prévue, la chambre de croissance sera conçue pour éviter que du gallium liquide ne pollue les autres sources de matériau ou ne s’accumule sur des zones critiques de l’équipement telles que des amenées de courant électrique ou des hublots.
Compte-tenu de la surface des locaux dédiés à l’accueil de cet équipement, il est souhaitable que la surface au sol du bâti soit d'environ 2 m² (sans tenir compte des baies de commande).
Date limite
Le délai de réception des offres était de 2012-03-29.
L'appel d'offres a été publié le 2012-02-03.
Fournisseurs
Les fournisseurs suivants sont mentionnés dans les décisions d'attribution ou dans d'autres documents relatifs aux marchés publics :
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Où ?
Historique des marchés publics
| Date |
Document |
| 2012-02-03
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Avis de marché
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| 2012-08-21
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Avis d'attribution de marché
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